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SH200R21D PDF预览

SH200R21D

更新时间: 2024-11-11 19:47:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 314 A, 1300 V, SCR

SH200R21D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.82其他特性:HIGH SPEED
标称电路换相断开时间:80 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:314 A
重复峰值关态漏电流最大值:20000 µA断态重复峰值电压:1300 V
重复峰值反向电压:1300 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SH200R21D 数据手册

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