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SH200D21A

更新时间: 2024-11-11 19:47:59
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东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 314 A, 200 V, SCR

SH200D21A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.82
其他特性:HIGH SPEED标称电路换相断开时间:15 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mAJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:314 A重复峰值关态漏电流最大值:30000 µA
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SH200D21A 数据手册

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