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SGTQ30NE40I1D

更新时间： 2024-04-09 19:00:28

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士兰微 - SILAN		/
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TO-252-2L

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SGTQ30NE40I1D 数据手册

士兰微电子

SGTQ30NE40I1D 说明书

典型特性曲线（续）

图 8. 漏电流 vs. 温度

图 7. 开启电压 vs. 温度

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

10000

V_EC=24V

V_CE=300V

V_CE=250V

1000

100

0.1

0.01

V_CE=V_GE

I_CE=1mA

-75

-25

125

175

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

结温 - T_J(°C)

图9. 电容特性

图10. 栅极电荷特性

10000

1000

100

Cies

Coes

Cres

V_CE=25V

V_CE=12V

V_CE=6V

共射极

V_GE=0V

f=1MHz

T_C=25°C

注：I_C=10A

100

集电极-发射极电压 – V_CE(V)

栅极电荷量 – Q_G(nC)

图11. 开关时间 vs. 温度

图12. 集射击穿电压 vs. 栅极电阻

1.5

440

T_J=40°C

阻性Tdon

阻性Tdoff

感性Tdoff

T_J=25°C

430

420

410

400

390

380

T_J=175°C

0.5

R_G=100Ω，V_GE=5V，I_CE=6.5A

I_CE=10mA

100

125

150

175

100

1000

10000

结温 - T_J(°C)

栅极电阻 - R_G(Ω)

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 8 页第 5 页

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