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SGF25

更新时间： 2024-01-08 12:07:43

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三洋 - SANYO		振荡器晶体放大器晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	67K
描述
For C- to X-band local oscillator and amplifier

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技术参数
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SGF25 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	6 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

SGF25 数据手册

Ordering number : EN5820

N-Channel GaAs MESFET

SGF25

For C- to X-band local oscillator and amplifier

Features

Package Dimensions

• Super miniaturized plastic-mold package(CP4).

• High reliability achieved by original manufacturing

unit: mm

2134A

technology(adopting a protection coat).

• Available for surface mounting and automatic inserting.

[SGF25]

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

4 : Source

SANYO: CP4

Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C

Parameter

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

6.0

–5.0

100

200

150

°C

Dissipation power

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

=–10µA

Unit

min

–5.0

typ

max

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

Minimum noise figure

(BR)GSO

DSS

=3V, V =0

–1.5

–3.0

=3V, I =100µA

–0.5

GS(off)

|Y |

NFmin

=3V, I =10mA

2.5

5.5

7.0

=3V, ID=10mA

Associated gain

f=12GHz

Maximum available gain

MAG

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN

O2097GI (KOTO) TA-1290 No.5820-1/3

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