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SGF30N60RUFD

更新时间: 2024-01-28 14:08:29
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网电动机控制开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 243K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PF, 3 PIN

SGF30N60RUFD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3PF包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92其他特性:HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):48 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):160 ns门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):135 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):80 ns
标称接通时间 (ton):18 nsBase Number Matches:1

SGF30N60RUFD 数据手册

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