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SGF5N150UFTU

更新时间： 2024-02-10 02:35:02

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
6页	294K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1500V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PF, 3 PIN

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SGF5N150UFTU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	4.41
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	1500 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	120 ns
门极发射器阈值电压最大值：	4 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	62.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	100 ns	标称接通时间 (ton)：	25 ns
Base Number Matches：	1

SGF5N150UFTU 数据手册

IGBT

SGF5N150UF

General Description

Features

Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

provides low conduction and switching losses.

SGF5N150UF is designed for the Switching Power

Supply applications.

•

High Speed Switching

Low Saturation Voltage : V

High Input Impedance

= 4.7 V @ I = 5A

CE(sat)

Application

Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter

TO-3PF

G C E

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Description

SGF5N150UF

Units

Collector-Emitter Voltage

1500

CES

GES

Gate-Emitter Voltage

± 20

Collector Current

@ T

25°C

Collector Current

@ T = 100°C

Pulsed Collector Current

CM (1)

Maximum Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds

@ T = 25°C

62.5

°C

@ T = 100°C

-55 to +150

stg

300

°C

Notes :

(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

2.0

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

θJC

θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

SGF5N150UF Rev. B

12 3 4 5 6

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与SGF5N150UFTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SGF80N60UF	FAIRCHILD	Ultra-Fast IGBT	获取价格
SGF80N60UFTU	FAIRCHILD	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PF, 3 PIN	获取价格
SGF80N60UFTU	ONSEMI	分立式、高性能IGBT	获取价格
SGF9	SANYO	For C to X-band Local Oscillator and Amplifier	获取价格
SGFGCA-1.024	MICROSEMI	Oscillator, 1.024MHz Min, 65.54MHz Max, 1.024MHz Nom	获取价格
SGFGCA-1.544	MICROSEMI	Oscillator, 1.024MHz Min, 65.54MHz Max, 1.544MHz Nom	获取价格