是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 5A991.G |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 11.2 dB |
JESD-609代码: | e3 | 最大工作频率: | 3000 MHz |
最小工作频率: | 50 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND MEDIUM POWER |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SGA9189Z | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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SGA-9189Z | SIRENZA | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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SGA9189Z-EVB1 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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SGA9189Z-EVB2 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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SGA9189Z-EVB3 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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SGA9189Z-EVB4 | RFMD | Medium Power Discrete SiGe Transistor |
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