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SG2004J/883B

更新时间： 2024-11-27 21:08:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-16

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SG2004J/883B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.49	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-CDIP-T16
JESD-609代码：	e0	元件数量：	7
端子数量：	16	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.6 V	Base Number Matches：	1

SG2004J/883B 数据手册

SG2000 SERIES

HIGH VOLTAGE MEDIUM

CURRENT DRIVER ARRAYS

DESCRIPTION

FEATURES

The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with

internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in

many military, aerospace, and industrial applications that require

severe environments. All units feature open collector outputs with

greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA

current carrying capabilities. Five different input configurations

provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or

CMOS drive signals. These devices are designed to operate from

-55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin dual in line ceramic

(J) package and 20 pin Leadless Chip Carrier (LCC). The plastic

dual in–line (N) is designed to operate over the commercial

temperature range of 0°C to 70°C.

• Seven npn Darlington pairs

• -55°C to 125°C ambient operating temperature range

• Collector currents to 600mA

• Output voltages from 50V to 95V

• Internal clamping diodes for inductive loads

• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs

• Hermetic ceramic package

HIGH RELIABILITY FEATURES

♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD

♦ MIL-M38510/14101BEA - JAN2001J

♦ MIL-M38510/14102BEA - JAN2002J

♦ MIL-M38510/14103BEA - JAN2003J

♦ MIL-M38510/14104BEA - JAN2004J

♦ Radiation data available

♦ LMI level "S" processing available

PARTIAL SCHEMATICS

4/90 Rev 1.3 6/97

LINFINITY Microelectronics Inc.

11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841

(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570

12 3 4 5 6 7

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SG2004J/883B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SG2004J	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor

与SG2004J/883B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SG2004J/DESC	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2004L	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
SG2004L/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2004-XS/TR	SGMICRO	获取价格	400mA, Low Power, Low Noise, Low Dropout, Linear Regulators
SG2005J	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2005L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2007	MOTOROLA	获取价格	ELECTROHYDRAULIC BRAKING
SG2007D	MOTOROLA	获取价格	ELECTROHYDRAULIC BRAKING
SG200N06S	SIRECTIFIER	获取价格	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist
SG200N06S	SIRECT	获取价格	Discrete IGBTs

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