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SFS1828/18

更新时间： 2024-11-16 19:11:03

品牌	Logo	应用领域
SSDI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-18, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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SFS1828/18 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.67
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	JEDEC-95代码：	TO-18
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.6 A
断态重复峰值电压：	300 V	重复峰值反向电压：	300 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SFS1828/18 数据手册

SFS1826 thru SFS1829

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

1.6 AMPS

200 ─ 400 VOLTS

SILICON CONTROLLED

RECTIFIER

Designer’s Data Sheet

FEATURES:

• Low-Level Gate Characteristics

• I_GT= 200 µA (Max) @ 25^oC

• Low Holding Current I_H= 1 mA (Max) @ 25^oC

• Anode Common to Case

• Hermetically Sealed

• TX, TXV, S-Level Screening Available. Consult

Factory

MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DRM

Value

Units

Volts

SFS1826

SFS1827

SFS1828

SFS1829

200

250

300

400

Peak Repetitive Reverse Voltage

and DC Blocking Voltage

V_RRM

SFS1826

SFS1827

SFS1828

SFS1829

300

350

400

500

Non-Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage

V_RSM

Volts

(t < 5.0 ms)

RMS On-State Current

I_{T (RMS)}

I_{T (AV)}

I_TSM

1.6

Amps

(All Conduction Angles)

Average On-State Current

T_C= 50^oC

T_A= 25^oC

1.0

0.7

Peak Non-Repetitive Surge Current

(One Cycle, 60 Hz, T_C= 80^oC )

Peak Gate Power

P_GM

P_{G (AV)}

I_GM

0.1

0.01

Watts

Amps

Volts

^oC

^oC/W

Average Gate Power

Peak Gate Current

0.1

Peak Gate Voltage

V_GM

T_J

6.0

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Case

-65 to +200

Tstg

R_θJC

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