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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SFF50N20-3 | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.050 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20B | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.050 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20M | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20N | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20NP | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20P | SSDI | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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