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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-259 | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SFF50N20M | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20N | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20NP | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N20P | SSDI | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SFF50N20Z | SSDI | 50 AMPS 200 VOLTS 0.055 OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF50N30M | SSDI | Avalanche Rated N-channel MOSFET |
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