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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-258 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-258AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF20N60P | SSDI |
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20 AMP / 600 Volts 0.40 ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFF20N60ZDBS | SSDI |
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Transistor |
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| SFF20N60ZUB | SSDI |
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Transistor |
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| SFF20N60ZUBS | SSDI |
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Transistor |
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| SFF20P10J | SSDI |
获取价格 |
20 AMP /100 Volts 200 mヘ P-Channel MOSFET |
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| SFF20P10JDB | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF20P10JJDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFF20P10JJUB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFF20P10JUB | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF-20-SG-15 | ADAM-TECH |
获取价格 |
1 Port |
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