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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 150 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 120 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 78.5 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10000 µA | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF50Q13 | TOSHIBA |
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Silicon Controlled Rectifier, 78.5 A, 1200 V, SCR |
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| SF50Q2H2 | TOSHIBA |
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Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF50Q2H3 | TOSHIBA |
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Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF50Q6S2 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF50Q6S3 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF50S006V4A | JAE |
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COMPONENTS PRODUCT INFORMATION |
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| SF50S006V4AR1500 | JAE |
获取价格 |
Micro SIM Card Connector |
|
| SF50S006V4B | JAE |
获取价格 |
COMPONENTS PRODUCT INFORMATION |
|
| SF50S006V4BR1500 | JAE |
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SF50S006V4BR1500 |
|
| SF50S006V4C | JAE |
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COMPONENTS PRODUCT INFORMATION |
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