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SF50Q13

更新时间: 2024-02-04 16:59:15
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东芝 - TOSHIBA 栅极
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1页 59K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 78.5 A, 1200 V, SCR

SF50Q13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.63外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:150 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:120 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-D2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:78.5 A
重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

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