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SF31G

更新时间： 2024-10-30 02:57:39
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 207K
描述
3.0 Amp Glass Passivated Super Fast Rectifiers

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SF31G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：SUPER FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：DO-27
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SF31G 数据手册

 浏览型号SF31G的Datasheet PDF文件第2页 
SF31G ~ SF35G  
Voltage 50V ~ 600V  
3.0 Amp Glass Passivated Super Fast Rectifiers  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
DO-27  
FEATURES  
Low forward voltage drop  
High current capability  
High reliability  
High surge current capability  
Good for switching mode application  
C
A
B
A
PACKAGING INFORMATION  
D
Glass Passivated  
Case: Molded plastic  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,  
method 208 guaranteed  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting position: Any  
Millimeter  
Min. Max.  
25.4 (TYP)  
REF.  
A
B
C
D
7.20  
9.53  
5.60  
1.32  
4.80  
1.20  
Weight: 1.1050 grams (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Part Number  
Parameter  
Symbol  
Unit  
SF  
SF  
SF  
33G  
SF  
SF  
31G  
32G  
34G  
35G  
600  
420  
600  
Maximum Recurrent Reverse Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
V
V
V
Maximum RMS Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
100  
VF  
IO  
0.95  
1.3  
1.70  
V
A
@ IF=3A  
Maximum Average Forward  
Rectified Current @0.375” (9.5mm) lead  
length @ TL=55°C  
3
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
125  
A
TJ=25°C  
5.0  
250  
35  
Maximum DC Reverse  
IR  
μA  
Current  
TJ=125°C  
Maximum Reverse Recovery Time 1  
TRR  
nS  
Typical Thermal Resistance  
R θJA  
50  
°C / W  
Typical Junction Capacitance 2  
Storage Temperature Range  
CJ  
60  
pF  
°C  
TSTG  
-55~150  
Note:  
1.  
2.  
IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
13-Aug-2013 Rev. F  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PL
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 		暂无描述
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 		DIODE 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, DO-201AD, 2 PIN, Rectifier Diode
SF31G-SF38G HDSEMI

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 		DO-27 Plastic-Encapsulate Diodes
SF31G-TP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PL
SF31G-TP-HF MCC

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 		暂无描述

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