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SF16-B PDF预览

SF16-B

更新时间： 2024-11-07 13:13:23
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
2页 31K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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SF16-B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.2
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SF16-B 数据手册

 浏览型号SF16-B的Datasheet PDF文件第2页 
SF11  
THRU  
SF16  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 400 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* High reliability  
* Low leakage  
* Low forward voltage  
* High current capability  
* Super fast switching speed  
* High surge capability  
* Good for switching mode circuit  
DO-41  
MECHANICALDATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
.034 (0.9)  
DIA.  
.028 (0.7)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Weight: 0.33 gram  
.205 (5.2)  
.166 (4.2)  
.107 (2.7)  
DIA.  
.080 (2.0)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
SF11  
SF12  
SF13  
SF14  
SF15  
SF16  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Volts  
V
V
RRM  
RMS  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Current  
V
DC  
O
100  
I
1.0  
30  
Amps  
Amps  
at TA  
= 55oC  
Peak Forward Surge Current IFM (surge):8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
15  
10  
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-65 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
SF11  
SF12  
SF13  
SF14  
SF15  
SF16  
UNITS  
Volts  
V
F
0.95  
1.25  
Maximum DC Reverse Current  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
=150oC  
5.0  
50  
35  
I
R
uAmps  
nSec  
at Rated DC Blocking Voltage  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
NOTES : 1. Test Conditions: I  
F
=0.5A, I  
R=-1.0A, IRR=-0.25A.  
2001-5  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
12

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
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