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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| 最大漏电流： | 15 mA | 通态非重复峰值电流： | 2000 A |
| 最大通态电压： | 1.9 V | 最大通态电流： | 100000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF100L27 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 157 A, 800 V, SCR |
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| SF100L4B1 | TOSHIBA |
获取价格 |
SF100L4B1 |
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| SF100L6A1 | TOSHIBA |
获取价格 |
SF100L6A1 |
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| SF100N21 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),100A I(T),TO-200VAR45 |
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| SF100N27 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 157 A, 1000 V, SCR |
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| SF100Q21 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),100A I(T),TO-200VAR45 |
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| SF100Q27 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 157 A, 1200 V, SCR |
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| SF100Q2H1 | TOSHIBA |
获取价格 |
SF100Q2H1 |
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| SF100R21 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.3KV V(DRM),100A I(T),TO-200VAR45 |
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| SF100R27 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 157 A, 1300 V, SCR |
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