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SF100N21

更新时间: 2024-01-03 05:56:15
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东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),100A I(T),TO-200VAR45

SF100N21 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
最大漏电流:15 mA通态非重复峰值电流:2000 A
最大通态电压:1.9 V最大通态电流:100000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-45 °C
断态重复峰值电压:1000 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SF100N21 数据手册

  

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