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SEMIX904GAR126HD

更新时间: 2024-11-08 22:43:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 848K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX904GAR126HD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:7Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):910 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X5
JESD-609代码:e3/e4元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1表面贴装:NO
端子面层:TIN/SILVER端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):833 ns标称接通时间 (ton):524 ns
Base Number Matches:1

SEMIX904GAR126HD 数据手册

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SEMiX 904GB126HD ...  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max. Units  
SEMiX 904GB126HD  
SEMiX 904GAL126HD  
SEMiX 904GAR126HD  
Target Data  
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Features  
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Typical Applications  
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GAL  
GAR  
1
15-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

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