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SEMIX253GB176HDS_06

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 1259K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX253GB176HDS_06 数据手册

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SEMiX 253GB176HDs  
Fig. 7 Typ. switching times vs. IC  
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor RG  
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD  
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current  
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT  
Fig. 11 CAL diode forward charact., incl. RCC´+EE´  
3
05-04-2006 GES  
© by SEMIKRON  
1234

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