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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.5 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 配置： | Single |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 260 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SE40ND | VISHAY |
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Surface-Mount Standard Rectifier |
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| SE40PB | VISHAY |
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Ideal for automated placement |
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| SE40PBHM3/86A | VISHAY |
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DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A |
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| SE40PBHM3/87A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A |
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| SE40PBHM3_A/H | VISHAY |
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DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A |
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| SE40PBHM3_A/I | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A |
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| SE40PB-M3/86A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 100V 2.4A TO277A |
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| SE40PB-M3/87A | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.4A, 100V V(RRM), Silicon, TO-277A, |
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| SE40PD | VISHAY |
获取价格 |
Ideal for automated placement |
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| SE40PDHM3/86A | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 2.4A TO277A |
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