SDR806RTX

更新时间： 2024-11-06 04:05:03

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SSDI		整流二极管测试功效
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2页	104K
描述
100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier

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SDR806RTX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	DO-5
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	1000 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	100 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向电流：	100 µA
最大反向恢复时间：	0.06 µs	反向测试电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

SDR806RTX 数据手册

SDR803

Thru

SDR817

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

100A, 60nsec, 50-1100 V

Ultra Fast Recovery Rectifier

SDR

__ __

│

└

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

•

Fast Recovery: 60nsec Maximum

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

Single Chip Construction

PIV to 1100 Volts

Hermetically Sealed

Pin Configuration __ = Normal (Cathode to Stud)

(See Table 1)

R = Reverse (Anode to Stud)

Family/Voltage

803 = 50V

804 = 100V

805 = 150V

806 = 200V

807 = 250V

808 = 300V

813 = 700V

814 = 800V

815 = 900V

816 = 1000V

817 = 1100V

809 = 350V

810 = 400V

811 = 500V

812 = 600V

For High Efficiency Applications

TX, TXV, and S-Level Screening Available ^2/

Maximum Ratings ^4/

Symbol

Value

Units

SDR803

SDR804

SDR805

SDR806

SDR807

SDR808

SDR809

SDR810

SDR811

SDR812

SDR813

SDR814

SDR815

SDR816

SDR817

100

150

200

250

300

350

400

500

600

700

800

900

1000

1100

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage and

DC Blocking Voltage @ 100µA

Volts

Average Rectified Forward Current

100

Amps

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25 °C)

SDR803 – 806

SDR807 – 809

SDR810 – 814

SDR815 – 817

1000

800

700

600

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C)

I_FSM

Operating & Storage Temperature

T_OP& T_STG

R_θJC

-55 to +175

0.85

ºC

Thermal Resistance (Junction to Case)

ºC/W

Notes:

1/ For ordering information, Price, Operating Curves, and Availability- Contact Factory.

2/ Screened to MIL-PRF-19500.

3/ Recovery Conditions: I_F= 500 mA, I_R= 1 Amp, I_RR= 250 mA.

4/ Unless Otherwise Specified, All Maximum Ratings/Electrical Characteristics @25°C.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RU0059G

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR806RTXV	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR806S	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR806TX	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR806TXV	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR807	SSDI	获取价格	100 AMP 50 - 1200 VOLTS 60 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
SDR807R	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR807RS	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR807RTX	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR807RTXV	SSDI	获取价格	100A, 60nsec, 50-1100 V Ultra Fast Recovery Rectifier
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