Datasheet > SDR6643SMSTX

SDR6643SMSTX

更新时间： 2024-02-28 02:36:47

品牌	Logo	应用领域
SSDI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	112K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SDR6643SMSTX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.68	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.3 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.006 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

SDR6643SMSTX 数据手册

SDR6638, SDR6642, SDR6643,

& SDR4150 SERIES

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

300 mA

Designer’s Data Sheet

50 - 125 VOLTS

Part Number/Ordering Information ^1/

4.5 - 6.0 nsec HYPER FAST RECOVERY

RECTIFIER

__ __

SDR____

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

│

└

FEATURES:

Hyper Fast Reverse Recovery Time 4.5 - 6 ns

Max

Hermetically Sealed

Planar Passivated Chip

For High Efficiency Applications

Available in Axial, Subminiature Round Tab

& Subminiature Square Tab Versions

TX, TXV, and S-Level Screening Available^2/

Replacement for 1N6638, 1N6642, 1N6643, &

1N4150-1

TXV = TXV

S = S Level (for SM, use –S)

•

Package Type

__ = Axial Leaded

SM = Surface Mount Round Tab

(MELF)

SMS = Surface Mount Square Tab

•

Device Type ( VRWM )

6638 = 125 V

6642 = 75 V

•

Metallurgical Class 3 Bond

6643 = 50 V

4150 = 75 V

MAXIMUM RATINGS ^3/

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

SDR6638

SDR6642

SDR6643

SDR4150

125

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RWM

V_R

Volts

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave, T_C= 25°C)

I_O

300

mAmps

Peak Surge Current

2.5

I_FSM

Amps

°C

(8.3 msec Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, allow junction to reach

equilibrium between pulses, T_C= 25°C)

-65 to +175

Operating & Storage Temperature

T_OPand T_STG

Thermal Resistance

SM and SMS- Junction to End Tab

Axial- Junction to Lead @ .375”

R_θJE

R_θJL

100

325

°C/W

NOTES:

1/ For Ordering Information, Price, and Availability- Contact

Factory.

Axial Leaded

SMS

2/ Screening Based on MIL-PRF-19500. Screening Flows

Available on Request.

3/ Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics

@25ºC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0126B

DOC

中文翻译

下载PDF

与SDR6643SMSTX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR6643SMTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SM, MELF-2
SDR6643SMTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SM, MELF-2
SDR66CAJ	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66CAM	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66CAZ	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66CTJ	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66CTM	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66CTZ	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66DRJ	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier
SDR66DRM	SSDI	获取价格	40A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Centertap Rectifier

与SDR6643SMSTX相关文章

L6234手册解读：引脚信息、电气参数
2024-07-01

1
解读BSP135H6327资料：电气参数及替换型号推荐
2024-07-01

1
FDG6302P资料解析：电气参数、产品特性
2024-07-01

3
SBAV99WT1G资料手册：参数信息、产品特性、替代型号推荐
2024-07-01

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR6643SMSTX

SDR6643SMSTX 技术参数

SDR6643SMSTX 数据手册

与SDR6643SMSTX相关器件

与SDR6643SMSTX相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR6643SMSTX

SDR6643SMSTX 技术参数

SDR6643SMSTX 数据手册

与SDR6643SMSTX相关器件

与SDR6643SMSTX相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？