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SDR622DRZUBS

更新时间： 2024-11-14 09:34:39

品牌	Logo	应用领域
SSDI		超快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	112K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

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SDR622DRZUBS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
应用：	HYPER FAST RECOVERY	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-254	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	40 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE

SDR622DRZUBS 数据手册

SDR620CTM&Z

thru

SDR622CTM&Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

40 AMP, 100 - 200 VOLTS

35 nsec HYPER FAST

CENTERTAP RECTIFIER

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

__ __ __ __ __

SDR62

│

└

│

└

│

└

│ └ Screening ^2/

= Not Screened

FEATURES:

│

TX = TX Level

TXV = TXV Level

•

Replaces 1N6657, 1N6658, 1N6659

Devices

Hyper Fast Recovery: 35 ns Maximum

High Surge Rating

Low Reverse Leakage Current

Low Junction Capacitance

Hermetically Sealed Package

Gold Eutectic Die Attach Available

Ultrasonic Aluminum Wire Bonds

TX, TXV, or Space Level Screening

Available

= S Level

•

Lead Options

__= Straight Leads

DB = Down Bent

UB = Up Bent

└

Package

M = TO-254

Z = TO-254Z

Configuration

CT = Common Cathode

CA = Common Anode

D = Doubler

DR = Doubler Reverse

Family/Voltage

0 = 100V

1 = 150V

2 = 200V

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Volts

SDR620

SDR621

SDR622

V_RRM

V_RWM

V_R

100

150

200

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage ^3/

Average Rectified Forward Current ^4/

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_C= 100ºC)

Amps

I_O

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25ºC, per leg)

Amps

ºC

I_FSM

200

Operating & Storage Temperature

_OP& T_STG

-65 to +200

Maximum Total Thermal Resistance

Junction to Case, each individual diode

Junction to Case ^4/

2.0

1.2

ºC/W

R_θJC

TO-254Z

TO-254

NOTES:

1/ For ordering Information, Price, and Availability, Contact Factory.

2/ Screening per MIL-PRF-19500.

3/ Higher voltages available.

4/ Both Legs Tied Together.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0027F

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与SDR622DRZUBS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR622DRZUBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZ	SSDI	获取价格	40 AMPS 100 - 200 VOLTS 35 nsec HYPER FAST COMMOM CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
SDR622DZD	SSDI	获取价格	暂无描述
SDR622DZDB	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZDBS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZDBTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZDBTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T
SDR622DZTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254, HERMETIC SEALED, T

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