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SDR55U100CAMTX

更新时间： 2024-11-13 18:11:59

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SSDI		超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	105K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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SDR55U100CAMTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.62
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	55 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SDR55U100CAMTX 数据手册

SDR55U080CT thru

Solid State Devices, Inc.

SDR55U120CT Series

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

55 AMP

ULTRA FAST CENTERTAP

RECTIFIER

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SDR55U

___ ___ ___ ___

800 - 1200 Volts

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

│

└

50 nsec

Features:

 Ultra Fast Recovery: 35 nsec typical

 High Surge Rating

 Low Reverse Leakage Current

 Low Forward Voltage Drop

Package Type

M = TO-254

N = TO-258

P = TO-259

Configuration

CT = Common Cathode

CA = Common Anode

D = Doubler

 Low Junction Capacitance

 Hermetically Sealed Package

 Gold Eutectic Die Attach available

 Ultrasonic Aluminum Wire Bonds

 Ceramic Seals for improved hermeticity available

 Available in Centertap and Doubler versions

 TX, TXV, Space Level Screening Available Consult

Factory.

DR = Doubler Reverse

Voltage/Family

080 = 800V

090 = 900V

100 = 1000V

110 = 1100V

120 = 1200V

Maximum Ratings

Symbol

V_RRM

Value

Units

Volts

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage

SDR55U080

SDR55U090

SDR55U100

SDR55U110

SDR55U120

800

900

1000

1100

1200

V_RWM

V_R

Average Rectified Forward Current

Amps

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25ºC)^3/4/

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, Allow Junction to Reach Equilibrium

Between Pulses, T_A= 25ºC)

I_FSM

Top & Tstg

R_θJE

250

Amps

ºC

Operating & Storage Temperature

-65 to +200

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case, each individual diode

Junction to Case^3/

1.25

1.0

ºC/W

TO-254 (M)

1/ For ordering information, price, operating curves, and

availability - Contact factory.

TO-258 (N)

TO-259 (P)

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening

flows available on request.

3/ Both legs tied together.

4/ Package limited.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RU0119D

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR55U100CAMTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CAN	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CANS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CAP	SSDI	获取价格	55 A, 1 kV Ultrafast Recovery Centertap Rectifier
SDR55U100CTM	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CTMTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CTMTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CTN	SSDI	获取价格	55 A, 1 kV Ultrafast Recovery Centertap Rectifier
SDR55U100CTNS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR55U100CTP	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 55A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P

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