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SDR508RTXV

更新时间: 2024-11-05 13:00:23
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SSDI /
页数 文件大小 规格书
2页 200K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 800V V(RRM), Silicon, DO-5,

SDR508RTXV 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.26
应用:EFFICIENCY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JEDEC-95代码:DO-5JESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:625 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向电流:25 µA最大反向恢复时间:0.08 µs
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

SDR508RTXV 数据手册

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