SDR3D

更新时间： 2024-11-29 04:05:07

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SSDI		整流二极管功效
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3.0 AMPS 50 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER

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SDR3D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	E-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JESD-30 代码：	E-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	75 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

SDR3D 数据手册

SDR3A and SDR3ASMS

thru

SDR3N and SDR3NSMS

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

3.0 AMPS

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

50 ─ 1200 VOLTS

50 – 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER

SDR1 __ __ __

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV

│

└

│

└

FEATURES:

•

Ultra Fast Recovery:

50-80 ns Max @ 25^°C ^4/

85-125 ns Max @ 100^°C ^4/

•

Single Chip Construction

PIV to 1200 Volts

Low Reverse Leakage Current

Hermetically Sealed

For High Efficiency Applications

Available in Axial and Surface Mount Versions

Metallurgically Bonded

S = S Level

Package Type

__ = Axial Leaded

SMS = Surface Mount Square Tab

A = 50 V

B = 100V

D = 200V

G = 400V

J = 600V

K = 800V

M = 1000V

N = 1200V

Family

TX, TXV, and S-Level Screening Available

MAXIMUM RATINGS ^3/

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

SDR3A and SDR3ASMS

SDR3B and SDR3BSMS

SDR3D and SDR3DSMS

SDR3G and SDR3GSMS

SDR3J and SDR3JSMS

SDR3K and SDR3KSMS

SDR3M and SDR3MSMS

SDR3N and SDR3NSMS

100

200

400

600

800

1000

1200

Peak Repetitive Reverse

Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

Volts

And

DC Blocking Voltage

Rectified Forward Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz, Sine Wave, T_A= 25°C)

I_O

Amp

Peak Surge Current

I_FSM

Amps

(8.3 msec Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, allow junction to reach

equilibrium between pulses, T_A= 25°C)

-65 to +175

Operating & Storage Temperature

T_OPand T_STG

°C

Thermal Resistance, Junction to Lead, L = 3/8”

Junction to End Tab

R_θJL

R_θJE

°C/W

NOTES:

SMS

Axial Leaded

1/ For Ordering Information, Price, and Availability- Contact Factory.

2/ Screened to MIL-PRF-19500.

3/ Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics @25ºC.

4/ Recovery Conditions: I_F= 0.5 Amp, I_R= 1.0 Amp, I_RRto .25 Amp.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RU0013D

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与SDR3D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR3D-CHIP	SSDI	获取价格	Diode,
SDR3DSMS	SSDI	获取价格	3.0 AMPS 50 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
SDR3DTX	SSDI	获取价格	暂无描述
SDR3G	SSDI	获取价格	3.0 AMPS 50 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
SDR3G-CHIP	SSDI	获取价格	Diode,
SDR3GSMS	SSDI	获取价格	3.0 AMPS 50 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
SDR3GSMSS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN
SDR3GSMSTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN
SDR3J	SSDI	获取价格	3.0 AMPS 50 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
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