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SDM20E30C-7 PDF预览

SDM20E30C-7

更新时间： 2024-01-13 23:47:53
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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SDM20E30C-7 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.84配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

SDM20E30C-7 数据手册

 浏览型号SDM20E30C-7的Datasheet PDF文件第2页 
SDM20E30C  
SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
·
·
·
Very Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
SOT-23  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
B
C
B
C
Mechanical Data  
D
TOP VIEW  
·
·
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagrams Below  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
Marking Code: K2M  
E
D
G
E
G
H
H
·
·
K
M
J
J
L
K
·
·
·
·
L
M
a
Ordering Information: See Page 2  
Internal Schematic  
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
V
IF  
200  
300  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Forward Continuous Current (Note 2)  
Repetitive Peak Forward Current  
Forward Surge Current  
IFRM  
IFSM  
Pd  
600  
@ t < 1.0s  
Power Dissipation (Note 2)  
200  
RqJA  
Tj  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 2)  
Operating Temperature Range  
500  
-65 to +100  
-65 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
30  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
IRS = 100mA  
¾
¾
V
IF = 0.1mA  
200  
260  
350  
470  
¾
¾
¾
¾
¾
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
mV  
Forward Voltage (Note 1)  
¾
VF  
750  
VR = 25V  
IR  
Reverse Leakage Current (Note 1)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
5.0  
10  
mA  
VR = 1.0V, f = 1.0MHz  
CT  
¾
pF  
IF = 10mA through IR = 10mA  
to IR = 1.0mA, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
2. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
DS30377 Rev. 1 - 2  
1 of 2  
SDM20E30C  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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