SDD20N03L

更新时间： 2024-11-25 03:32:59

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三合微科 - SAMHOP		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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SDD20N03L 数据手册

SDU/D20N03L

SamHop Microelectronics Corp.

July 2004 ver1.2

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

PRODUCT SUMMARY

FEATURES

Super high dense cell design for low RDS(ON).

Rugged and reliable.

VDSS

RDS(ON) ( m

Ω

)

Max

15 @ VGS = 10V

32 @ VGS = 4.5V

30V

35A

TO-252 and TO-251 Package.

SDU SERIES

TO-252AA(D-PAK)

SDD SERIES

TO-251(l-PAK)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 C unless otherwise noted)

Limit

Unit

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

VDS

VGS

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous @TJ=125 C

-Pulsed

Drain-Source Diode Forward Current

Maximum Power Dissipation

@Tc=25 C

Operating and Storage Temperature Range

, TSTG

-55 to 175

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

12 3 4 5 6 7 8

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