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SDD30N03L

更新时间: 2024-11-25 09:30:27
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三合微科 - SAMHOP 晶体晶体管场效应晶体管
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5页 37K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

SDD30N03L 数据手册

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SDU/D30N03L  
SamHop Microelectronics Corp.  
JULY, 2002  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
Super high dense cell design for low RDS(ON).  
Rugged and reliable.  
V
DSS  
I
D
R
DS(ON) (m  
W
) TYP  
11.5 @ VGS = 10V  
17 @ VGS = 4.5V  
30V  
30A  
TO-252 and TO-251 Package.  
D
D
G
S
G
SDU SERIES  
TO-252AA(D-PAK)  
SDD SERIES  
TO-251(l-PAK)  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 C unless otherwise noted)  
C
Limit  
30  
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
Drain-Source Voltage  
VDS  
V
GS  
V
Gate-Source Voltage  
20  
I
D
30  
A
Drain Current-Continuous @TJ=125 C  
-Pulsed a  
I
DM  
90  
A
Drain-Source Diode Forward Current  
30  
I
S
A
50  
W
Maximum Power Dissipation  
@Tc=25 C  
P
D
Derate above 25 C  
0.3  
W/ C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-55 to 175  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
C/W  
C/W  
R
JC  
JA  
3
50  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
1

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