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SD2933W

更新时间： 2024-02-05 03:12:46
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
8页 102K
描述
300W - 50V HF/VHF DMOS TRANSISTOR

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SD2933W 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：32 weeks
风险等级：2.05Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：200 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：648 W子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SD2933W 数据手册

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SD2933  
RF POWER TRANSISTORS  
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs  
ADVANCE DATA  
• GOLD METALLIZATION  
• EXCELLENT THERMAL STABILITY  
• COMMON SOURCE CONFIGURATION  
= 300 W MIN. WITH 20 dB GAIN @ 30  
• P  
OUT  
MHz  
• THERMALLY ENHANCED PACKAGING  
M177  
epoxy sealed  
DESCRIPTION  
ORDER CODE  
BRANDING  
The SD2933 is a gold metallized N-Channel MOS  
field-effect RF power transistor. It is intended for  
use in 50 V DC large signal applications up to 150  
MHz  
SD2933  
SD2933  
PIN CONNECTION  
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
4. Source  
5. Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T  
= 25 0C)  
CASE  
Parameter  
Drain Source Volatage  
Symbol  
Value  
125  
125  
±20  
40  
Unit  
V
V
(BR)DSS  
V
Drain-Gate Voltage (R = 1MΩ)  
V
DGR  
GS  
V
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
V
GS  
I
A
D
P
Power Dissipation  
648  
200  
W
DISS  
0
T
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
j
C
0
T
-65 to 150  
STG  
C
THERMAL DATA  
0
R
Junction-Case Thermal Resistance  
Case-Heatsink Thermal Resistance*  
0.27  
0.15  
C/W  
th(j-c)  
0
R
th(c-s)  
C/W  
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound apllied (Dow Corning 340 or equivalent).  
Jun 2000  
1/8  
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SD2933W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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