是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.90.00.00 |
风险等级: | 5.68 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.05 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.05 A | 最大漏源导通电阻: | 70 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 0.5 pF |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SD211DE-1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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SD211E | CALOGIC | High-Speed Analo N-Channel DMOS FETs |
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SD211T | Linear Systems | N-CHANNEL LATERAL DMOS JFET SWITCH TYPICAL CHARACTERISTICS |
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SD212 | CALOGIC | High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs |
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SD212DE | CALOGIC | High-Speed Analog N-Channel DMOS FETs |
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SD213 | CALOGIC | High-Speed Analo N-Channel DMOS FETs |
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