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SBR6582

更新时间： 2024-11-21 21:18:11

品牌	Logo	应用领域
APITECH		射频微波
页数	文件大小	规格书
4页	199K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 30MHz Min, 500MHz Max, H2, TO-8B

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SBR6582 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	H2, TO-8B
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	SMA-F, I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM	构造：	COAXIAL
增益：	21.5 dB	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
最大工作频率：	500 MHz	最小工作频率：	30 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	最大电压驻波比：	2
Base Number Matches：	1

SBR6582 数据手册

Cross Reference Guide

BR6582 / SBR6582*

* Part number for additional environmental screening.

Package Drawing

Performance Data

Frequency

30.0 - 500.0 MHz

23.0 dB Typical

21.5 dB Min

Gain

3.5 dB Typical

4.5 dB Max

Noise Figure

P_1dB

21.0 dBm Typical

17.0 dBm Min

^rdOrder Intercept

^ndOrder Intercept

33.0 dBm Typical

43.0 dBm Typical

1.5/2.0 Input Typ/Max

1.2/2.0 Output Typ/Max

VSWR

-29.0 dB Typical

-27.0 dB Min

Reverse Isolation

15.0 Volts

47.0 mA

Power Supply

Operating Temperature

-55.0 - 85.0 °C

Gain

Frequency (MHz)

Noise Figure

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SBR6587	APITECH	获取价格	10 MHz - 400 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, H2, TO-8B
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SBR6605	APITECH	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 10MHz Min, 600MHz Max, H2, TO-8B
SBR6609	APITECH	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 5MHz Min, 500MHz Max, H2, TO-8B
SBR660CTL	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, TO-252, GREEN, PLASTIC, DPAK
SBR660CTL-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, TO-252, GREEN, PLASTIC, DPAK
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SBR660CTLQ-13	DIODES	获取价格	Reduced high temperature reverse leakage; Increased reliability
SBR660CTT4G	ONSEMI	获取价格	3A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3/2