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SBL10U45D1

更新时间： 2024-02-15 01:34:38
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2页 234K
描述
Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier

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SBL10U45D1 数据手册

 浏览型号SBL10U45D1的Datasheet PDF文件第2页 
SBL10U45D1  
Voltage 45V, 10.0 Amp  
Low VF Planar MOS Barrier Schottky Rectifier  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen free  
TO-252  
FEATURES  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Planar MOS Schottky technology  
Low forward voltage drop  
High current capability  
High reliability  
High surge current capability  
Epitaxial construction  
A
C
D
B
MECHANICAL DATA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Molded plastic  
Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant  
Lead: Lead solderable per MIL-STD-202  
method 208 guaranteed  
G E  
K
J
H F  
N
O
P
ꢀ
Mounting position: Any  
M
ORDER INFORMATION  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
2.3 REF.  
0.89 REF.  
0.45 1.14  
1.55 Typ.  
Max.  
Part Number  
Type  
Lead (Pb)-free  
A
B
C
D
E
F
6.3  
4.95  
2.1  
0.4  
6
6.9  
5.53  
2.5  
0.9  
7.7  
J
K
M
N
O
P
SBL10U45D1  
1
3
2
0
0.15  
SBL10U45D1-C Lead (Pb)-free and Halogen-free  
2.90 REF  
0.58 REF.  
G
H
5.4  
0.6  
6.4  
1.2  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Rating 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, de-rate current by 20%.)  
Parameter  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
Symbol  
VRRM  
Rating  
Unit  
V
45  
45  
45  
5
VRSM  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
V
(Per Leg)  
(Per Device)  
Maximum Average Forward Rectified  
Current  
IF  
A
A
10  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
120  
Voltage Rate of Chance (Rated VR)  
Typical Thermal Resistance 1  
dv/dt  
10000  
6
V / µs  
°C /W  
°C  
Rθ  
JC  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-40~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
Max.  
Unit  
Test Condition  
IF=3A, TJ=25°C  
0.38  
0.42  
0.31  
0.38  
-
-
0.48  
-
IF=5A, TJ=25°C  
IF=3A, TJ=125°C  
IF=5A, TJ=125°C  
TJ=25°C  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
VF  
V
-
0.5  
20  
-
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage 3  
Typical Junction Capacitance 2  
IR  
mA  
pF  
-
TJ=100°C  
CJ  
320  
Notes:  
1. Surface mounted on 2.5cm x 2.5cm x 0.5mm copper pad area.  
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3. Pulse Test：Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≦ 2.0%.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
19-Jun-2018 Rev. A  
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