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SBG2030CT-T PDF预览

SBG2030CT-T

更新时间： 2024-01-12 10:13:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-2

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SBG2030CT-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSFM-G2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.87其他特性：LOW POWER LOSS, HIGH EFFICIENCY
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：225 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SBG2030CT-T 数据手册

 浏览型号SBG2030CT-T的Datasheet PDF文件第2页 
SBG2030CT - SBG2045CT  
20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
SPICE MODELS: SBG2030CT SBG2035CT SBG2040CT SBG2045CT  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
E
D2PAK  
Min  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 225A Peak  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
4
B
·
Available in Lead Free Finish/RoHS Compliant Version  
(Note 3)  
C
J
B
D
1
2
3
Mechanical Data  
·
E
Case: D2PAK  
G
H
M
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
D
K
J
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
C
L
K
Terminals: Finish - Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
L
PIN 1  
PIN 3  
·
Also Available in Lead Free Plating (Bright Tin Finish).  
Please see Ordering Information, Note 5, on Page 2  
Polarity: See Diagram  
PIN 2 & 4  
M
All Dimensions in mm  
·
·
·
·
Marking: Type Number  
Mounting Position: Any  
Weight: 1.7 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG  
2030CT  
SBG  
2040CT  
SBG  
2045CT  
SBG  
2035CT  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
25  
40  
28  
45  
32  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 105°C  
20  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
225  
0.55  
A
Forward Voltage, per Element  
@ IF = 10A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ Tj = 25°C  
@ Tj = 100°C  
1.0  
50  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
650  
2.0  
pF  
K/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes: 1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS30091 Rev. 4 - 2  
1 of 2  
SBG2030CT - SBG2045CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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与SBG2030CT-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBG2030CT-T-F DIODES

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 		20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBG2030CT-TP MCC

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