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SBG2035CT-13 PDF预览

SBG2035CT-13

更新时间： 2024-09-23 15:50:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 35V V(RRM), Silicon, PLASTIC, D2PAK-3

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SBG2035CT-13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：225 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SBG2035CT-13 数据手册

 浏览型号SBG2035CT-13的Datasheet PDF文件第2页 
SBG2030CT - SBG2045CT  
20A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
SPICE MODELS: SBG2030CT SBG2035CT SBG2040CT SBG2045CT  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
E
D2PAK  
Min  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
4
·
·
Surge Overload Rating to 225A Peak  
B
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
C
J
B
D
1
2
3
·
E
G
H
M
Mechanical Data  
D
K
J
Case: D2PAK Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking: Type Number  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
C
L
·
·
K
L
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2 & 4  
M
·
·
·
·
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG  
2030CT  
SBG  
2040CT  
SBG  
2045CT  
SBG  
2035CT  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
25  
40  
28  
45  
32  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 105°C  
20  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
225  
A
Forward Voltage, per Element  
@ IF = 10A  
VFM  
IRM  
0.55  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ Tj = 25°C  
@ Tj = 100°C  
1.0  
50  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
650  
2.0  
pF  
K/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30091 Rev. C-2  
1 of 2  
www.diodes.com  
SBG2030CT - SBG2045CT  
ã Diodes Incorporated  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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