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SBE806

更新时间： 2024-01-14 14:17:51
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安森美 - ONSEMI 测试
页数 文件大小 规格书
3页 23K
描述
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES,SOT-25

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SBE806 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.64配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：15 µA最大反向恢复时间：0.01 µs
反向测试电压：15 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

SBE806 数据手册

 浏览型号SBE806的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBE806的Datasheet PDF文件第3页 
Ordering number : ENN7292  
Schottky Barrier Diode  
SBE806  
50V, 100mA Rectifier  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low forward voltage (V max=0.55V).  
F
• Fast reverse recovery time (t max=10ns).  
1294  
rr  
•
Composite type with 2 diodes contained in the CPH  
[SBE806]  
package currently in use, improving the mounting  
efficiency greatly.  
The chips incorporated are both equivalent to  
2.9  
4
0.15  
5
3
2
•
0.05  
the SB01-05CP.  
1
0.95  
0.4  
1 : Cathode  
2 : Cathode  
3 : Anode  
4 : No Contact  
5 : Anode  
0.4  
SANYO : CPH5  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C (Value per element)  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Non-repetitive Peak Reverse Surge Voltage  
Average Output Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
50  
RRM  
RSM  
V
55  
100  
V
I
O
mA  
A
Surge Forward Current  
I
50Hz sine wave, 1 cycle  
2
FSM  
Tj  
Junction Temperature  
--55 to +125  
--55 to +125  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Tstg  
Electrical Characteristics at Ta=25°C (Value per element)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Reverse Voltage  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
V
I
=50µA  
50  
V
V
R
R
Forward Voltage  
Reverse Current  
V
I =100mA  
F
0.55  
F
I
R
V
V
=25V  
R
15  
µA  
Interterminal Capacitance  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
Marking : SF  
C
=10V, f=1MHz  
R
4.4  
pF  
t
rr  
I =I =10mA, see specified Test Circuit.  
10  
ns  
F R  
Rth(j-a)  
300  
°C / W  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O1002 TS IM TA-3613 No.7292-1/3  
123

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与SBE806相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBE807 SANYO

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 		Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier
SBE807-TL-E ONSEMI

获取价格

 		High frequency rectification (switching regulators, converters, and choppers)
SBE807-TL-W ONSEMI

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 		Schottky Barrier Diode, 30V, 1A, Low IR, CPH5, 3000-REEL
SBE808 SANYO

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 		Schottky Barrier Diode 15V, 1A Rectifier
SBE808-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Schottky Barrier Diode, 15V, 1A, Low IR, Non-Monolithic Dual MCPH5, MCPH5, 3000-REEL
SBE808-TL-W ONSEMI

获取价格

 		肖特基势垒整流器，15V，1A，低 IR，非单片，双 MCPH5
SBE811 SANYO

获取价格

 		Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
SBE812 SANYO

获取价格

 		Schottky Barrier Diode 60V, 1.0A Rectifier
SBE812-TL-E ONSEMI

获取价格

 		Schottky Barrier Diode, 60V, 1A, Low IR, Non-Monolithic Dual VEC8 Common Cathode, SOT-28FL
SBE813 SANYO

获取价格

 		Low IR Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier

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