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SBE808

更新时间： 2024-01-16 21:14:18
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 肖特基二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 36K
描述
Schottky Barrier Diode 15V, 1A Rectifier

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SBE808 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：2 weeks
风险等级：1.49Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1838569
Samacsys Pin Count：5Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：SOT23 (5-Pin)Samacsys Footprint Name：SBE808-TL-W
Samacsys Released Date：2020-02-27 11:11:04Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

SBE808 数据手册

 浏览型号SBE808的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBE808的Datasheet PDF文件第3页 
Ordering number : ENA0451  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
Schottky Barrier Diode  
SBE808  
15V, 1A Rectifier  
Applications  
•
High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).  
Features  
•
•
•
Small switching noise.  
Low leakage current and high reliability due to planar structure.  
Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C (Value per element)  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage  
Average Output Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
15  
17  
1
RRM  
RSM  
V
V
I
O
A
Surge Forward Current  
I
50Hz sine wave, 1 cycle  
10  
A
FSM  
Tj  
Junction Temperature  
--55 to +150  
--55 to +150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Tstg  
Electrical Characteristics at Ta=25°C (Value per element)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Reverse Voltage  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
V
I
=0.1mA  
15  
V
V
R
R
V 1  
F
I =0.5A  
F
0.43  
0.49  
0.48  
0.54  
3.0  
Forward Voltage  
V 2  
F
I =1A  
F
V
Reverse Current  
I
V
V
=6V  
µA  
pF  
R
R
Interterminal Capacitance  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
Marking : SE  
C
=10V, f=1MHz  
20  
R
t
rr  
I =I =100mA, See specified Test Circuit.  
Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8mm)  
10  
ns  
F R  
Rth(j-a)  
185  
°C / W  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
N0106SB SY IM TC-00000264 No. A0451-1/3  
123

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SBE808 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SBE808-TL-E ONSEMI

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