SB570-B

更新时间： 2025-07-15 03:33:35

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美台 - DIODES		整流二极管瞄准线功效
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3页	51K
描述
5.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB570-B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.8 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Bright Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SB570-B 数据手册

Resistive or

Inductive Load

T_A= 100°C

1.0

T_A= 25°C

0.1

100

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

T_L, LEAD TEMPERATURE (°C)

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

150

1000

T_A= 25°C

Single Half-Sine-Wave

(JEDEC Method)

f = 1.0 Mhz

120

100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

100

0.1

100

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

T_A= 100°C

T_A= 75°C

0.1

0.01

T_A= 25°C

0.001

0.0001

T_A= -25°C

100 120 140

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)

Fig. 5 Typical Reverse Characteristics

DS30135 Rev. 5 - 2

2 of 3

SB570 - SB5100

www.diodes.com

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