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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.74 V | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 60 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向电流： | 500 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SB250S-LF | WTE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLI |
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| SB250S-T3 | WTE |
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2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| SB250S-T3-LF | WTE |
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暂无描述 |
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| SB250S-TB | WTE |
获取价格 |
2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| SB250S-TB-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLI |
|
| SB250-T3 | WTE |
获取价格 |
2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
| SB250-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLI |
|
| SB250-TB | WTE |
获取价格 |
2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SB250-TB-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLI |
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| SB250T-G | COMCHIP |
获取价格 |
Leaded Schottky Barrier Rectifiers |
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