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SB25100CT

更新时间： 2024-11-12 14:54:11
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WON-TOP /
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4页 43K
描述
Powerpack

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SB25100CT 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.43其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：12.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE

SB25100CT 数据手册

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®
SB2520CT – SB25100CT  
25A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
B
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
TO-220  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
13.90  
9.80  
2.54  
3.56  
12.70  
0.51  
3.55 Ø  
5.75  
4.16  
2.03  
0.30  
1.14  
2.29  
Max  
15.90  
10.70  
3.43  
G
A
E
PIN1  
2
3
4.56  
D
14.73  
0.96  
F
G
H
I
4.09 Ø  
6.85  
Mechanical Data  
F
Case: TO-220, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
5.00  
P
J
2.92  
K
L
0.65  
I
1.40  
P
2.79  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
Case  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
SB  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
2520CT 2530CT 2540CT 2545CT 2550CT 2560CT 2580CT 25100CT  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
Total Device  
Per Diode  
25  
12.5  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
200  
A
V
Forward Voltage  
per diode  
@IF = 12.5A, TJ = 25°C  
@IF = 12.5A, TJ = 125°C  
0.62  
0.57  
0.75  
0.65  
0.85  
0.75  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
1.0  
20  
IRM  
CJ  
mA  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
750  
500  
Thermal Resistance Junction to Ambient per diode  
Thermal Resistance Junction to Case per diode  
RθJA  
RθJC  
55  
1.5  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB25100CT-LF WTE

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SB25100DC WON-TOP

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SB2510G TSC

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 		High Current 15, 25, 35 AMPS. Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers

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