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SB230S-E3/73

更新时间： 2024-11-13 14:44:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 67K
描述
DIODE 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Rectifier Diode

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SB230S-E3/73 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.55 V
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

SB230S-E3/73 数据手册

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New Product  
SB220S thru SB260S  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Very small conduction losses  
• Extremely fast switching  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
DO-204AL (DO-41)  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
freewheeling,  
dc-to-dc  
converters,  
and  
polarity  
IF(AV)  
2.0 A  
protection applications.  
VRRM  
IFSM  
20 V to 60 V  
50 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL (DO-41)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
VF  
0.55 V, 0.70 V  
125 °C, 150 °C  
TJ max.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL SB220S SB230S SB240S SB250S SB260S UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IF(AV)  
20  
30  
40  
50  
60  
V
A
Maximum average forward rectified current  
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)  
2.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
50  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
°C  
- 65 to + 125  
- 65 to + 150  
TSTG  
- 65 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL SB220S SB230S SB240S SB250S SB260S UNIT  
(1)  
Maximum instantaneous forward voltage  
2.0 A  
VF  
0.55  
0.70  
V
TJ = 25 °C  
0.50  
(2)  
Maximum reverse current at rated VR  
IR  
mA  
TJ = 125 °C  
25  
15  
Notes  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms  
(2)  
Document Number: 88951  
Revision: 20-Oct-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB230S-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLI
SB230S-T3 WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
SB230S-T3-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLI
SB230S-TB WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
SB230S-TB-LF WTE

获取价格

 		暂无描述
SB230-T3 WTE

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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB230-T3-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLI
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 		2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
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SB230-TP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 30V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLI

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