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SB2060FCT-LF

更新时间： 2024-01-31 10:41:40

品牌	Logo	应用领域
WTE		整流二极管瞄准线功效局域网
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220, 3 PIN

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SB2060FCT-LF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.75 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	1000 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SB2060FCT-LF 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB2020CT – SB20100CT

20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring for Transient Protection

High Current Capability, Low Forward

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

TO-220

Dim

Min

14.9

—

Max

15.1

10.5

2.87

4.06

14.22

0.94

3.91 Ø

6.86

4.70

2.79

0.64

1.40

2.67

2.62

3.56

13.46

0.68

3.74 Ø

5.84

4.44

2.54

0.35

1.14

2.41

PIN1

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D

Mechanical Data

Case: TO-220 Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: As Marked on Body

Weight: 2.24 grams (approx.)

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

PIN 1 -

PIN 3 -

Case PIN 2

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

Unit

2020CT 2030CT 2040CT 2050CT 2060CT 2080CT 20100CT

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current

@T_C= 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I^FSM

200

Forward Voltage

@I_F= 10A

V^FM

I^RM

0.55

0.75

0.85

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

100

Typical Junction Capacitance (Note 1)

C^j

1100

°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB2020CT – SB20100CT

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