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SB2060LCT PDF预览

SB2060LCT

更新时间： 2024-01-21 16:48:28
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ASEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 198K
描述
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SB2060LCT 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：1000 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SB2060LCT 数据手册

 浏览型号SB2060LCT的Datasheet PDF文件第2页 
SB2060LCT  
SB206 0LCT  
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
20 Amperes  
4.93  
4.53  
10.36  
9.96  
VOLTAGE  
60 Volts  
CURRENT  
2.72  
2.32  
FEATURES  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
2.96  
2.56  
1.24  
1.20  
1.46  
1.26  
MECHANICAL DATA  
0.9  
0.7  
Case : TO-220AB, Plastic  
0.6  
0.45  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
2.74  
2.34  
2.74  
2.34  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
V
A
per device  
Maximum average forward rectified current (Fig.3)  
per diode  
20  
10  
I
F(AV)  
FSM  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
145  
2.5  
A
superimposed on rated load per diode  
Typical thermal resistance  
Operating junction  
RΘ  
JC  
oC/W  
oC  
TJ  
-55 to + 125  
-55 to + 125  
Storage temperature range  
TSTG  
oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Breakdown voltage  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
=1mA  
MIN.  
64  
TYP.  
68  
MAX.  
-
UNIT  
BR  
I
R
V
V
I
I
F
=5A  
=10A  
-
-
0.44  
0.51  
0.51  
0.60  
TJ  
=25oC  
F
Instantaneous forward voltage per  
diode (1)  
V
F
I
I
F
=5A  
=10A  
-
-
-
-
0.44  
0.56  
TJ  
=125oC  
V
F
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
-
-
0.5  
20  
Reverse current per diode (2)  
I
R
V
R=60V  
mA  
=100oC  
Note.1 Pulse test : 380μs pulse width, 1% duty cycle  
2. Pulse test : Pulse width < 2.5ms  
PAGE . 1  
www.asemi88.com  
12

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