SAP09NY

更新时间： 2024-10-14 13:13:11

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三垦 - SANKEN		二极管温度补偿
页数	文件大小	规格书
1页	40K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin

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SAP09NY 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	8000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T5
元件数量：	1	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SAP09NY 数据手册

Equivalent

circuit

R: 70Ω Typ.

Emitter resistor

SAP 0 9 N

■Electrical Characteristics

RE: 0.22Ω Typ.

(Complement to type SAP09P)

Application: Audio

■

Absolute maximum ratings

External Dimensions

(Ta = 25°C )

Unit

(Ta = 25°C )

(Unit: mm)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Symbol

Conditions

Unit

±^0.2

3.2

min

max

±^0.3

±^0.2

15.4

9.9

4.5

1.6

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

150

I_CBO

I_EBO

V_CEO

V_CB=150V

V_EB=5V

100

µA

150

(36°)

I_C=30mA

150

✽

h_FE

V_CE=4V, I_C=6A

I_C=6A, I_B=6mA

V_CE=20V, I_C=40mA

I_F=2.5mA

5000

20000

2.0

±^0.1

I_B

80 (Tc =25°C)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

1.35^–⁺⁰⁰^.^.¹²

0.65^–⁺⁰⁰^.^.¹²

0.8^–⁺⁰⁰^.^.¹²

P_C

2.5

Di I_F

°C

1220

705

Ω

150

0.65^–⁺⁰⁰^.^.¹²

±^0.1

2.54

3.81

Di V_F

R_E

(7.62)

(12.7)

–40 to +150

±^0.1

±0.1

Tstg

°C

3.81

I_E=1A

0.176

0.22

0.264

±^0.3

17.8

±^0.1

Weight: Approx 8.3g

a. Part No.

✽hFE Rank O (5000 to 12000), Y(8000 to 20000)

b. Lot No.

S E

I_C–V_CECharacteristics (Typical)

I_C–V_BETemperature Characteristics

V_CE(sat)–I_BCharacteristics (Typical)

(V_CE=4V)

10mA

2.5mA

2.0mA

1.8mA

I_C=8A

0.3mA

125°C

25°C

=0.2mA

–30°C

0.3 0.5

100

Collector-Emitter Voltage V_CE(V)

Base Current I_B(mA)

Base-Emitter Voltage V_BE(V)

_FE–I_CCharacteristics (Typical)

_j-a– t Characteristics

(V_CE= 4V)

50000

125°C

25°C

–30°C

10000

5000

0.5

1000

500

200

0.03

0.1

0.5

50 100

500 1000 2000

Collector Current I_C(A)

Time t (ms)

Safe Operating Area (Single Pulse)

P_C– T Derating

8 0

6 0

4 0

2 0

0.5

Without Heatsink

Natural Cooling

0.1

Without Heatsink

3.5

0.05

100

200

100

125

150

Collector-Emitter Voltage V_CE(V)

Ambient Temperature Ta (°C)

165

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