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SA2B-M3/5AT

更新时间： 2024-11-06 20:10:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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SA2B-M3/5AT 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.56
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：55 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：3 µA最大反向恢复时间：1.5 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SA2B-M3/5AT 数据手册

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SA2B-M3, SA2D-M3, SA2G-M3, SA2J-M3, SA2K-M3, SA2M-M3  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Glass Passivated Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated pellet chip junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
DO-214AC (SMA)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer  
and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
100 V, 200 V, 400 V, 600 V,  
800 V, 1000 V  
VRRM  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AC (SMA)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3 - RoHS-compliant, commercial grade  
IFSM  
IR  
55 A  
3.0 μA  
0.854 V  
VF at IF = 2.0 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
TJ max.  
Package  
150 °C  
DO-214AC (SMA)  
Single die  
Diode variations  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SA2B  
SA2D  
2D  
SA2G  
2G  
SA2J  
2J  
SA2K  
2K  
SA2M  
2M  
UNIT  
Device marking code  
2B  
Max. repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
VRRM  
IF(AV)  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
A
2.0  
55  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
0.911  
0.954  
0.805  
0.854  
0.19  
MAX.  
UNIT  
IF = 1.0 A  
-
1.1  
-
TJ = 25 °C  
IF = 2.0 A  
IF = 1.0 A  
IF = 2.0 A  
(1)  
Instantaneous forward voltage  
VF  
V
TJ = 125 °C  
0.95  
3
TJ = 25 °C  
(2)  
Reverse current  
Rated VR  
IR  
μA  
TJ = 125 °C  
28  
90  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Typical reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
1.5  
11  
-
-
μs  
Irr = 0.25 A  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Notes  
(1)  
(2)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Pulse test: Pulse width 40 ms  
Revision: 19-Feb-16  
Document Number: 89930  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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