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S8055WTP PDF预览

S8055WTP

更新时间： 2024-11-05 19:50:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 647K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 55A I(T)RMS, 35000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-218X, 3 PIN

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S8055WTP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-218X包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-D3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.56
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：475 V/us最大直流栅极触发电流：40 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：60 mA
JESD-30 代码：R-PSFM-D3JESD-609代码：e3
最大漏电流：3 mA通态非重复峰值电流：650 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：35000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：55 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S8055WTP 数据手册

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Teccor® brandThyristors  
55 Amp Standard SCRs  
RoHS  
Sxx55x Series  
Description  
Excellent unidirectional switches for phase control  
applications such as heating and motor speed controls.  
Standard phase control SCRs are triggered with few  
milliamperes of current at less than 1.5V potential.  
Features & Benefits  
• RoHS compliant  
• Voltage capability up  
to 1000 V  
• Glass – passivated  
junctions  
• Surge capability up to  
650 A  
Applications  
Main Features  
Typical applications are AC solid-state switches, industrial  
power tools, exercise equipment, white goods and  
commercial appliances.  
Symbol  
Value  
55  
Unit  
A
IT(RMS)  
VDRM/VRRM  
IGT  
400 to 1000  
40  
V
Schematic Symbol  
mA  
ꢀ
ꢁ
Additional Information  
ꢂ
ꢀatasheet  
ꢀesoꢁrces  
ꢀaꢁꢂꢃes  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
RMS on-state current  
Test Conditions  
Value  
Unit  
IT(RMS)  
IT(AV)  
TC = 90°C  
55  
A
Average on-state current  
TC = 90°C  
35.0  
A
A
single half cycle; f = 50Hz;  
TJ (initial) = 25°C  
550  
650  
ITSM  
Peak non-repetitive surge current  
single half cycle; f = 60Hz;  
TJ (initial) = 25°C  
I2t  
I2t Value for fusing  
tp = 8.3 ms  
1750  
175  
A2s  
di/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
A/μs  
f = 60Hz ;TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
PW = 10µS  
IGM  
Peak gate current  
4.0  
A
PG(AV)  
Tstg  
TJ  
Average gate power dissipation  
Storage temperature range  
0.8  
W
°C  
°C  
TJ = 125°C  
-40 to 150  
-40 to 125  
Operating junction temperature range  
© 2016 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised: 04/30/16  
1234567...9

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