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S72WS256NEEBAWUB0

更新时间： 2024-11-27 14:18:27
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1252K
描述
Memory Circuit, 16MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE COMPLIANT, FBGA-137

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S72WS256NEEBAWUB0 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LFBGA,
针数：137Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.92
其他特性：MOBILE SDRAM IS ORGANIZED AS 4M X 16BIT X 4 BANKS; SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLEJESD-30 代码：R-PBGA-B137
JESD-609代码：e0长度：12 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：137字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

S72WS256NEEBAWUB0 数据手册

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S72WS-N Based MCP/PoP Products  
1.8 Volt-only x16 Flash Memory and SDRAM on Split Bus  
256/512 Mb Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory  
512 Mb NAND Flash  
1024 Mb NAND Interface ORNAND Flash Memory on Bus 1  
512/256/128 Mb (8M/4M/2M x 16-bit x 4 Banks) Mobile SDRAM on  
Bus 2  
S72WS-N Based MCP/PoP Products Cover Sheet  
Data Sheet (Advance Information)  
Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion  
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,  
Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.  
Publication Number S72WS-N_00  
Revision A  
Amendment 9  
Issue Date May 8, 2007  
1234567...28

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