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S5973-01

更新时间： 2024-11-09 03:13:39
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
High-speed photodiodes (S5973 series: 1.5 GHz)

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S5973-01 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-18, 3 PINReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.60.50风险等级：5.53
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最大暗电源：0.1 nA红外线范围：NO
标称光电流：0.00042 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：PIN PHOTODIODE
峰值波长：760 nm最小反向击穿电压：20 V
最大反向电压：20 V半导体材料：Silicon
形状：ROUND尺寸：0.4 mm
子类别：Photo Diodes表面贴装：NO
Base Number Matches：1

S5973-01 数据手册

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P H O T O D I O D E  
Si PIN photodiode  
,
,
S5971 S5972 S5973 series  
High-speed photodiodes (S5973 series: 1.5 GHz)  
S5971, S5972 and S5973 series are high-speed Si PIN photodiodes designed for visible to near infrared light detection. These photodiodes  
provide wideband characteristics at a low bias, making them suitable for optical communications and other high-speed photometry. S5973 series  
includes a mini-lens type (S5973-01) that can be efficiently coupled to an optical fiber and a violet sensitivity enhanced type (S5973-02) ideal for  
violet laser detection.  
Features  
Applications  
High-speed response  
Optical fiber communications  
High-speed photometry  
Violet laser detection (S5973-02)  
S5971  
S5972  
: 100 MHz (V  
: 500 MHz (V  
R
=10 V)  
=10 V)  
R
S5973 series: 1 GHz (V  
R=3.3 V)  
Low price  
High sensitivity  
S5973-02: 0.3 A/W, QE=91 % (λ=410 nm)  
High reliability  
ꢀ General ratings / Absolute maximum ratings  
Absolute maximum ratings  
Power Operating Storage  
voltage dissipation  
Dimensional  
Active area  
size  
Effective  
active area  
Reverse  
Package  
(mm)  
outline/  
Window  
temperature temperature  
Type No.  
VR Max.  
P
Topr  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
material *1  
(mm)  
φ1.2  
φ0.8  
(mm2)  
1.1  
0.5  
(V)  
(mW)  
S5971  
S5972  
ꢀ/K  
S5973  
TO-18  
20  
50  
-40 to +100 -55 to +125  
S5973-01  
S5973-02  
ꢀ/L  
ꢀ/K  
φ0.4  
0.12  
ꢀ Electrical and optical characteristics  
Photo sensitivity  
Short  
circuit  
Temp.  
Spectral  
Peak  
S
Dark  
coefficient Cut-off Terminal  
NEP  
VR=10 V  
λ=λp  
response sensitivity  
capacitance  
(A/W)  
current  
Isc  
current  
ID  
of  
ID  
frequency  
fc  
range  
wavelength  
Ct  
Type No.  
λ
λp  
100 lx  
T
CID  
f=1 MHz  
660 780 830  
nm nm nm  
λp  
Typ. Max.  
(times/° C)  
(nm)  
320 to  
1060  
(nm)  
900  
800  
(µA) (nA) (nA)  
(GHz)  
0.1 *3  
0.5 *3  
(pF)  
3 *3  
(W/Hz1/2)  
7.4 × 10-15  
3.1 × 10-15  
0.07 *3  
0.01 *3  
S5971  
0.64  
0.6  
1.0  
1 *3  
0.55  
S5972  
S5973  
S5973-01  
S5973-02  
0.57 0.44  
0.55 0.42  
0.09  
0.5 *3  
1.15  
320 to  
1000  
4
0.52  
0.51 0.47  
1.1 × 10-15  
*
0.001 *4  
760  
0.42  
0.1 *4  
1.5 *4  
1.6 *4  
2,  
4
1.9 × 10-15  
* *  
0.45 0.3 *2 0.42 0.37 0.09  
*1: Window material K: borosilicate glass, L: lens type borosilicate glass  
*2: λ=410 nm  
*3: VR=10 V  
*4: VR=3.3 V  
1
1234

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与S5973-01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S5973-02 HAMAMATSU

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 		High-speed photodiodes (S5973 series: 1.5 GHz)
S-5976OHM0.01% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 976ohm, 212V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount,
S5979 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
S5980 HAMAMATSU

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 		Multi-element photodiodes for surface mounting
S5980 BOTHHAND

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