S5668-34

更新时间： 2024-11-25 03:34:11

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HAMAMATSU		半导体光电二极管光电二极管
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描述
Si photodiode High sensitivity X-ray detectors

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S5668-34 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-16
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.60.50
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SENSITIVITY, HIGH RELIABILITY	配置：	2 BANKS, COMMON CATHODE, 8 ELEMENTS
最大暗电源：	0.03 nA	红外线范围：	YES
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	16
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
峰值波长：	800 nm	最小反向击穿电压：	10 V
最大反向电压：	10 V	半导体材料：	Silicon
形状：	RECTANGULAR	尺寸：	2 mm
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

S5668-34 数据手册

P H O T O D I O D E

Si photodiode

S5668-11/-34

High sensitivity X-ray detectors

Features

Applications

16-element photodiode array with scintillator

S5668-11: CsI

X-ray fluorescence analysis

X-ray detection

S5668-34: ceramic scintillator

High sensitivity compared with CWO

S5668-11: 3.2 times

S5668-34: 1.8 times

S5668-34: high reliability

less afterglow, low cross-talk, low capacitance

■ Absolute maximum ratings (Ta=25 °C)

Parameter

Reverse voltage

Operating temperature

Symbol

VR Max.

Topr

Value

-10 to +60

-20 to +70

Unit

°C

Storage temperature

Tstg

■ Photodiode electrical and optical characteristics (Ta=25 °C, per element)

S5668-11

S5668-34

Parameter

Symbol

Condition

Unit

Typ.

320 to 1100

960

Max.

Typ.

Max.

Spectral response range

Peak sensitivity wavelength

320 to 1000

800

A/W

λp

0.31

0.56

0.38

0.54

λ=540 nm

λ=λp

Photo sensitivity

X-ray tube voltage=

120 kV *

X-ray sensitivity

5.8

2.5

Dark current

Terminal capacitance

VR=10 mV

VR=0 V, f=10 kHz

300

550

* Tube current=1.0 mA, aluminum filter: t=6 mm, distance=830 mm

Note) Sensitivity values are just for your reference. Actual sensitivity values may vary depending on an equipment type and

measurement conditions.

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